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Si1024X
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
20
R DS(on) ( ? )
0.70 at V GS = 4.5 V
0.85 at V GS = 2.5 V
1.25 at V GS = 1.8 V
I D (mA)
600
500
350
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET: 1.8 V Rated
? Very Small Footprint
? High-Side Switching
? Low On-Resistance: 0.7 ?
? Low Threshold: 0.8 V (typ.)
? Fast Switching Speed: 10 ns
? 1.8 V Operation
? Gate-Source ESD Protected: 2000 V
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SOT-563
SC-89
BENEFITS
S 1 1
6
D 1
?
Ease in Driving Switches
?
Low Offset (Error) Voltage
G 1 2
100 Ω
100 Ω
5
G 2
Marking Code: C
?
?
Low-Voltage Operation
High-Speed Circuits
?
Low Battery Voltage Operation
D 2 3
4
S 2
APPLICATIONS
Top View
Orderin g Information: Si1024X-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
Memories
? Battery Operated Systems
? Power Supply Converter Circuits
? Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
20
±6
Steady State
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current b
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
515
370
650
485
350
mA
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
450
380
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)
T A = 25 °C
T A = 85 °C
P D
T J , T stg
ESD
280
145
- 55 to 150
2000
250
130
mW
°C
V
Notes:
a. Surface mounted on FR4 board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
Document Number: 71170
S11-0854-Rev. E, 02-May-11
www.vishay.com
1
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